Vishay Siliconix SIHB6N80AE-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SIHB6N80AE-GE3

МОЩНЫЙ МОП-транзистор серии Е D2PAK (ТО-

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SIHB6N80AE-GE3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: SIHB6N80AE-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.0700

Дополнительная цена:$2.0700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Э
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 950 мОм при 2 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 422 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 62,5 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д²ПАК (ТО-263)
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIHB6N80AE-GE3
Стандартный пакет 1000
N-канальный 800 В 5 А (Tc) 62,5 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D²PAK (ТО-263)