Vishay Siliconix SIHD11N80AE-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIHD11N80AE-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 800В

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIHD11N80AE-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7259
  • Артикул: SIHD11N80AE-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8000

Дополнительная цена:$1,8000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Э
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 450 мОм при 5,5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 42 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 804 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 78 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д-Пак
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIHD11N80AE-T1-GE3TR
Стандартный пакет 2000 г.
N-канальный 800 В 8 А (Tc) 78 Вт (Tc) D-Pak для поверхностного монтажа