Vishay Siliconix SIHFR120-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIHFR120-GE3

МОП-транзистор Н-КАНАЛЬНЫЙ 100 В

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIHFR120-GE3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: SIHFR120-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7000

Дополнительная цена:$0,7000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7,7 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 270 мОм при 4,6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 НК @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 360 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,5 Вт (Та), 42 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252АА
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 100 В 7,7 А (Tc) 2,5 Вт (Ta), 42 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252АА