Vishay Siliconix SIHK125N60EF-T1GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIHK125N60EF-T1GE3

МОЩНЫЙ МОП-транзистор СЕРИИ Е С БЫСТРЫМ

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIHK125N60EF-T1GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 50
  • Артикул: SIHK125N60EF-T1GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.4900

Дополнительная цена:$5.4900

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ЭФ
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 125 мОм при 12 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 45 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1863 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 132 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK®10 х 12
Пакет/ключи 8-PowerBSFN
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
N-канал 600 В 21 А (Tc) 132 Вт (Tc) PowerPAK®10 x 12 для поверхностного монтажа