Vishay Siliconix SIJH600E-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIJH600E-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 60-В (ДС) МОП-транзистор 175С

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIJH600E-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: SIJH600E-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $6.3800

Дополнительная цена:$6.3800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37А (Та), 373А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 0,92 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 212 НК @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9950 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,3 Вт (Та), 333 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 8 x 8
Пакет/ключи PowerPAK® 8 x 8
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2000 г.
N-канал 60 В 37 А (Ta), 373 А (Tc) 3,3 Вт (Ta), 333 Вт (Tc) PowerPAK® для поверхностного монтажа 8 x 8