Vishay Siliconix SIR1309DP-T1-GE3

П-КАНАЛ 30 В (DS) MOSFET POWE

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Siliconix SIR1309DP-T1-GE3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5
Артикул: СИР1309DP-T1-GE3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9400

Дополнительная цена:$0,9400

Подробности

Параметры
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	P-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	19,1А (Та), 65,7А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	7,3 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	87 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±25 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3250 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	4,8 Вт (Та), 56,8 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи	ПауэрПАК® СО-8
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000

P-канал 30 В 19,1 А (Ta), 65,7 А (Tc) 4,8 Вт (Ta), 56,8 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8