Vishay Siliconix SIR500DP-T1-RE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIR500DP-T1-RE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 30 В (DS) 150С

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIR500DP-T1-RE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: СИР500ДП-Т1-РЕ3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6400

Дополнительная цена:$1,6400

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen V
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 85,9А (Та), 350,8А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 0,47 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 180 НК при 10 В
ВГС (Макс) +16В, -12В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8960 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 6,25 (Та), 104,1 Вт (Т Втс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIR500DP-T1-RE3TR
Стандартный пакет 3000
N-канал 30 В 85,9 А (Ta), 350,8 А (Tc) 6,25 Вт (Ta), 104,1 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8