Vishay Siliconix SIR5710DP-T1-RE3
Н-КАНАЛЬНЫЙ 150 В (DS) MOSFET POW
- Производитель: Вишай Силиконикс
- Номер производителя: Vishay Siliconix SIR5710DP-T1-RE3
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 2048
- Артикул: SIR5710DP-T1-RE3
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4,8 Вт (Та), 56,8 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | ПауэрПАК® СО-8 |
| Пакет/ключи | ПауэрПАК® СО-8 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Ряд | ТренчFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 150 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 7,8 А (Та), 26,8 А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 7,5 В, 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 31,5 мОм при 10 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 250 мкА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15 нк @ 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 770 пФ при 75 В |
| Особенность левого транзистора | - |
N-канальный 150 В 7,8 А (Ta), 26,8 А (Tc) 4,8 Вт (Ta), 56,8 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740