| Параметры |
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 80 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 17,6А (Та), 71,9А (Тс) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 11,2 мОм при 10 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,6 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 105 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4850 пФ при 40 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 6,25 (Та), 104 Вт (Тс) Вт |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | ПауэрПАК® СО-8 |
| Пакет/ключи | ПауэрПАК® СО-8 |
| Базовый номер продукта | СИР681 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 742-SIR681DP-T1-RE3TR |
| Стандартный пакет | 3000 |
P-канал 80 В 17,6 А (Ta), 71,9 А (Tc) 6,25 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8