Vishay Siliconix SIRA74DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIRA74DP-T1-GE3

МОП-транзистор Н-Ч 40 В 24 А/81,2 А ППАК

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIRA74DP-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 340
  • Артикул: SIRA74DP-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0100

Дополнительная цена:$1,0100

Подробности

Теги

Параметры
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIRA74DP-T1-GE3TR
Стандартный пакет 3000
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24А (Та), 81,2А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,2 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 41 НК при 10 В
ВГС (Макс) +20 В, -16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2000 пФ при 20 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 4,1 Вт (Та), 46,2 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИРА74
Статус RoHS Соответствует ROHS3
N-канал 40 В 24 А (Ta), 81,2 А (Tc) 4,1 Вт (Ta), 46,2 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8 для поверхностного монтажа