Vishay Siliconix SIRA90ADP-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIRA90ADP-T1-GE3

МОП-транзистор Н-Ч 30 В 71 А/334 А ППАК

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIRA90ADP-T1-GE3
  • Упаковка: Разрезанная лента (CT)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4339
  • Артикул: SIRA90ADP-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Разрезанная лента (CT)
Статус продукта Производство постоянно в Digi-Key
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 71А(Та), 334А(Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 0,78 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,2 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 195 НК при 10 В
ВГС (Макс) +20 В, -16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9120 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 6,3 Вт (Та), 104 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИРА90
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 30 В 71 А (Ta), 334 А (Tc) 6,3 Вт (Ta), 104 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8 для поверхностного монтажа