Vishay Siliconix SIRS4301DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIRS4301DP-T1-GE3

П-КАНАЛ 30 В (DS) MOSFET POWE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIRS4301DP-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3620
  • Артикул: SIRS4301DP-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.4700

Дополнительная цена:$3.4700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 53,7А (Та), 227А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,3 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 255 НК при 4,5 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 19750 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 7,4 Вт (Та), 132 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИРС4301
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
P-канал 30 В 53,7 А (Ta), 227 А (Tc) 7,4 Вт (Ta), 132 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8 для поверхностного монтажа