Vishay Siliconix SIRS5100DP-T1-GE3

N-kanol 100 v (ds) mosfet pow

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SIRS5100DP-T1-GE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 1586
Sku: SIRS5100DP-T1-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $3.3100

Эkst цena:$3.3100

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet®
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	39A (TA), 225A (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	7,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	2,5mohm @ 20a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	102 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	5400 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	7,4 yt (ta), 240 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	PowerPak® SO-8
PakeT / KORPUES	PowerPak® SO-8
Baзowый nomer prodikta	SIRS5100
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Станодадж	3000

N-kanal 100-39a (ta), 225a (tc) 7,4 st (ta), 240 vt (tc) poverхnostnoe krepleneene powerpak® so-8