Vishay Siliconix SIRS5100DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIRS5100DP-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 100 В (DS) MOSFET POW

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIRS5100DP-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1586 г.
  • Артикул: SIRS5100DP-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.3100

Дополнительная цена:$3.3100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 39А (Та), 225А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,5 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 102 НК @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5400 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 7,4 Вт (Та), 240 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Базовый номер продукта СИРС5100
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 100 В 39 А (Ta), 225 А (Tc) 7,4 Вт (Ta), 240 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8 для поверхностного монтажа