Vishay Siliconix SIS4604DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIS4604DN-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 60 В (DS) POWE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIS4604DN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: SIS4604DN-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9700

Дополнительная цена:$0,9700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14,6А (Та), 44,4А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 9,5 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 960 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,6 Вт (Та), 33,7 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта СИС4604
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канальный 60 В 14,6 А (Ta), 44,4 А (Tc) 3,6 Вт (Ta), 33,7 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® 1212-8