Vishay Siliconix SIS890ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIS890ADN-T1-GE3

МОП-транзистор N-CH 100 В 7,6 А/24,7 А Ппак

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIS890ADN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: SIS890ADN-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9600

Дополнительная цена:$0,9600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7,6 А (Та), 24,7 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 25,5 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1330 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,6 Вт (Та), 39 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта СИС890
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 100 В 7,6 А (Ta), 24,7 А (Tc) 3,6 Вт (Ta), 39 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8 для поверхностного монтажа