Vishay Siliconix SISA12BDN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SISA12BDN-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 30 В (DS) POWE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SISA12BDN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6
  • Артикул: SISA12BDN-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9800

Дополнительная цена:$0,9800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24А (Та), 87А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,3 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,4 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 32 НК при 10 В
ВГС (Макс) +20 В, -16 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1470 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 4 Вт (Та), 52 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SISA12BDN-T1-GE3TR
Стандартный пакет 3000
N-канал 30 В 24 А (Ta), 87 А (Tc) 4 Вт (Ta), 52 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8 для поверхностного монтажа