Vishay Siliconix SISH103DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SISH103DN-T1-GE3

П-КАНАЛ 30 В (DS) MOSFET POWE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SISH103DN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5430
  • Артикул: СИШ103ДН-Т1-ГЕ3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,9300

Дополнительная цена:$0,9300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16А (Та), 54А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 155 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 72 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2540 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,67 (Ta), 41,6 Вт (Tc) Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8SH
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8SH
Базовый номер продукта СИШ103
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
П-канал 30 В 16 А (Ta), 54 А (Tc) 3,67 Вт (Ta), 41,6 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8SH для поверхностного монтажа