Vishay Siliconix SISH107DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SISH107DN-T1-GE3

П-КАНАЛ 30 В (DS) MOSFET POWE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SISH107DN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1584 г.
  • Артикул: СИШ107ДН-Т1-ГЕ3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,7700

Дополнительная цена:$0,7700

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12,6 А (Та), 34,4 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4,8 мОм при 35 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 41 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1400 пФ при 15 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,57 (Ta), 26,5 Вт (Tc) Вт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8SH
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8SH
Базовый номер продукта СИШ107
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
P-канал 30 В 12,6 А (Ta), 34,4 А (Tc) 3,57 Вт (Ta), 26,5 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа PowerPAK® 1212-8SH