Vishay Siliconix SISH892BDN-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 100 В (DS) MOSFET POW

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер производителя: Vishay Siliconix SISH892BDN-T1-GE3
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация:-
Запас: 2
Артикул: СИШ892БДН-Т1-ГЕ3
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,8900

Дополнительная цена:$0,8900

Подробности

Параметры
Производитель	Вишай Силиконикс
Ряд	TrenchFET® Gen IV
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	6,8 А (Та), 20 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	30,4 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,4 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	26,5 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1110 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3,4 Вт (Та), 29 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования	PowerPAK® SO-8DC
Пакет/ключи	ПауэрПАК® СО-8
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	3000

N-канальный 100 В 6,8 А (Ta), 20 А (Tc) 3,4 Вт (Ta), 29 Вт (Tc) PowerPAK® SO-8DC для поверхностного монтажа

Vishay Siliconix SISH892BDN-T1-GE3

Подробности

Теги

Больше продуктов

О нас

УСЛУГИ

ПРОДУКЦИЯ