Vishay Siliconix SISS5110DN-T1-GE3
Н-КАНАЛЬНЫЙ 100 В (DS) MOSFET POW
- Производитель: Вишай Силиконикс
- Номер производителя: Vishay Siliconix SISS5110DN-T1-GE3
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 5836
- Артикул: SISS5110DN-T1-GE3
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Вишай Силиконикс |
| Ряд | ТренчFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 13,4 А (Та), 46,4 А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 7,5 В, 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 8,9 мОм при 10 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4 В @ 250 мкА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | ±25 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 920 пФ при 50 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4,8 Вт (Та), 56,8 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | PowerPAK® 1212-8S |
| Пакет/ключи | PowerPAK® 1212-8S |
| Базовый номер продукта | СИСС5110 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
N-канальный 100 В 13,4 А (Ta), 46,4 А (Tc) 4,8 Вт (Ta), 56,8 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8S для поверхностного монтажа
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740