Vishay Siliconix SISS5110DN-T1-GE3

N-kanol 100 v (ds) mosfet pow

Проиджоделх: Виаликоеникс
NoMerPOIзVODITELEL: Vishay Siliconix SISS5110DN-T1-GE3
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 5836
Sku: SISS5110DN-T1-GE3
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.6600

Эkst цena:$1.6600

Подрэбной

Парметр
Млн	Виаликоеникс
В припании	Trenchfet®
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	13.4a (TA), 46.4a (TC)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	7,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	8,9mohm @ 10a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	20 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 25 В
Взёр.	920 PF @ 50 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	4,8 yt (ta), 56,8 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	PowerPak® 1212-8S
PakeT / KORPUES	PowerPak® 1212-8S
Baзowый nomer prodikta	SISS5110
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	3000

N-kanal 100- 13,4a (ta), 46,4a (Tc) 4,8 st (ta), 56,8 yt (tc) powerpak® 1212-8