Vishay Siliconix SISS5623DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SISS5623DN-T1-GE3

П-КАНАЛ 60 В (DS) MOSFET POWE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SISS5623DN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3797
  • Артикул: SISS5623DN-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,7500

Дополнительная цена:$1,7500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10,5 А (Та), 36,3 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 24 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,6 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 33 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1575 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 4,8 Вт (Та), 56,8 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8S
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8S
Базовый номер продукта СИСС5623
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
P-канал 60 В 10,5 А (Ta), 36,3 А (Tc) 4,8 Вт (Ta), 56,8 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8S для поверхностного монтажа