Vishay Siliconix SISS5710DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SISS5710DN-T1-GE3

Vishay Siliconix SISS5710DN-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 150 В (DS) MOSFET POW

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SISS5710DN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 29
  • Артикул: SISS5710DN-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $1,7100

Дополнительная цена:$1,7100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7,2 А (Та), 26,2 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 31,5 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 770 пФ при 75 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 4,1 Вт (Та), 54,3 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8S
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8S
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SISS5710DN-T1-GE3CT
Стандартный пакет 3000
N-канал 150 В 7,2 А (Ta), 26,2 А (Tc) 4,1 Вт (Ta), 54,3 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8S для поверхностного монтажа

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.