Vishay Siliconix SISS588DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SISS588DN-T1-GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 80 В (DS) POWE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SISS588DN-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 5514
  • Артикул: SISS588DN-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,3600

Дополнительная цена:$1,3600

Подробности

Теги

Параметры
Ряд TrenchFET® Gen V
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16,9 А (Та), 58,1 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 7,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 28,5 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1380 пФ при 40 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 4,8 Вт (Та), 56,8 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8S
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8S
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 742-SISS588DN-T1-GE3TR
Стандартный пакет 3000
Производитель Вишай Силиконикс
N-канал 80 В 16,9 А (Ta), 58,1 А (Tc) 4,8 Вт (Ta), 56,8 Вт (Tc) PowerPAK® 1212-8S для поверхностного монтажа