Vishay Siliconix SIZF5302DT-T1-RE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SIZF5302DT-T1-RE3

ДВОЙНОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 30 В (DS)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SIZF5302DT-T1-RE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5
  • Артикул: SIZF5302DT-T1-RE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,7500

Дополнительная цена:$1,7500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд TrenchFET® Gen V
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 28,1 А (Та), 100 А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 3,2 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 22,2 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1030пФ при 15В
Мощность - Макс. 3,8 Вт (Та), 48,1 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 12-PowerPair™
Поставщик пакета оборудования PowerPAIR® 3x3FS
Базовый номер продукта СИЗФ5302
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SIZF5302DT-T1-RE3TR
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 28,1 А (Ta), 100 А (Tc), 3,8 Вт (Ta), 48,1 Вт (Tc), для поверхностного монтажа PowerPAIR® 3x3FS