Vishay Siliconix SQD10N30-330H_4GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SQD10N30-330H_4GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 300-В (DS) 175C MOSFE

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SQD10N30-330H_4GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: SQD10N30-330H_4GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,6500

Дополнительная цена:$1,6500

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 300 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 330 мОм при 14 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,4 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 47 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2190 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 107 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252АА
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
Н-канал 300 В 10 А (Tc) 107 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252АА