Vishay Siliconix SQJ110EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SQJ110EP-T1_GE3

АВТОМОБИЛЬНОЕ Н-КАНАЛЬНОЕ 100 В (ДС)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SQJ110EP-T1_GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6641
  • Артикул: SQJ110EP-T1_GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,7300

Дополнительная цена:$1,7300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 170А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,3 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 113 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6100 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 500 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канальный 100 В 170 А (Tc) 500 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8