Vishay Siliconix SQJ182EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Силиконикс SQJ182EP-T1_GE3

АВТОМОБИЛЬНЫЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ 80 В (ДС)

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SQJ182EP-T1_GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 1357
  • Артикул: SQJ182EP-T1_GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,5800

Дополнительная цена:$1,5800

Подробности

Теги

Параметры
Поставщик пакета оборудования ПауэрПАК® СО-8
Пакет/ключи ПауэрПАК® СО-8
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SQJ182EP-T1_GE3TR
Стандартный пакет 3000
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 210А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,5 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 96 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5392 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 395 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Н-канальный 80 В 210 А (Tc) 395 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8