Vishay Siliconix SQJ202EP-T2_GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SQJ202EP-T2_GE3

Vishay Силиконикс SQJ202EP-T2_GE3

ДВОЙНОЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ 12-В (ДС) 175С М

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SQJ202EP-T2_GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3
  • Артикул: SQJ202EP-T2_GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $1,3300

Дополнительная цена:$1,3300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 12 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20А (Тс), 60А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 6,5 мОм при 15 А, 10 В, 3,3 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 нк при 10 В, 54 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 975пФ при 6В, 2525пФ при 6В
Мощность - Макс. 27 Вт (Тс), 48 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи PowerPAK® SO-8 двойной
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® SO-8 двойной асимметричный
Базовый номер продукта SQJ202
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 742-SQJ202EP-T2_GE3TR
Стандартный пакет 3000
Массив МОП-транзисторов 12 В, 20 А (Tc), 60 А (Tc), 27 Вт (Tc), 48 Вт (Tc), для поверхностного монтажа PowerPAK® SO-8, двойной асимметричный

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.