Vishay Siliconix SQJA12EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SQJA12EP-T1_GE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 100-В (ДС) 175С МОСФЕ

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SQJA12EP-T1_GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: SQJA12EP-T1_GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8800

Дополнительная цена:$1,8800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C -
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 8,6 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 49,1 нк при 10 В
ВГС (Макс) -
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3635 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая температура -55°С ~ 125°С
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канал 100 В