Vishay Siliconix SQS850EN-T1_BE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SQS850EN-T1_BE3

Н-КАНАЛЬНЫЙ 60-В (ДС) МОП-транзистор 175С

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SQS850EN-T1_BE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2
  • Артикул: SQS850EN-T1_BE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.0300

Дополнительная цена:$1.0300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 21,5 мОм при 6,1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 41 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2021 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 33 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования PowerPAK® 1212-8
Пакет/ключи PowerPAK® 1212-8
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
N-канальный 60 В 12 А (Tc) 33 Вт (Tc) для поверхностного монтажа PowerPAK® 1212-8