GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220

ДИОД SIL CARB 1.2КВ 43А ТО220-2

Производитель: GeneSiC Полупроводник
Номер производителя: GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5621
Артикул: GC08MPS12-220
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	GeneSiC Полупроводник
Ряд	Карбид кремния Шоттки MPS™
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	43А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В @ 8 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	7 мкА при 1200 В
Эмкость @ Вр, Ф	545пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-220-2
Поставщик пакета оборудования	ТО-220-2
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Базовый номер продукта	GC08MPS12
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1242-1328 гг.
Стандартный пакет	8000

Диод 1200 В 43А Сквозной ТО-220-2