GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDBIGY

GD25S512MDBIGY

Производитель: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Номер производителя: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDBIGY
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5453
Артикул: GD25S512MDBIGY
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Активный
Тип	Энергонезависимый
Формат памяти	ВСПЫШКА
Технология	ВСПЫШКА – НО
Размер	512 Мбит
Организация	64М х 8
Интерфейс памяти	SPI — четырехканальный ввод-вывод
Тактовая частота	104 МГц
Время цикла записи — Word, Page	50 мкс, 2,4 мс
Напряжение питания	2,7 В ~ 3,6 В
Рабочая температура	-40°С ~ 85°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	24-ГАТБ
Поставщик пакета оборудования	24-ТФБГА (6х8)
Базовый номер продукта	ГД25С512
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	3A991B1A
ХТСУС	8542.32.0071
Стандартный пакет	4800

FLASH — ИС память NOR 512 Мбит SPI — Quad I/O 104 МГц, 24-TFBGA (6x8)