WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ

IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247

Производитель: ВеЭн Полупроводники
Номер производителя: WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 754
Артикул: WG50N65DHWQ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.5500

Дополнительная цена:$3.5500

Подробности

Параметры
Производитель	ВеЭн Полупроводники
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	91 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	200 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2В @ 15В, 50А
Мощность - Макс.	278 Вт
Переключение энергии	1,7 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	160 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	66 нс/163 нс
Условия испытаний	400В, 50А, 10Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr)	105 нс
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Базовый номер продукта	РГ50Н65Д
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	1740-WG50N65DHWQ
Стандартный пакет	600

IGBT Trench Field Stop 650 В 91 А 278 Вт сквозное отверстие ТО-247-3