WeEn Semiconductors WNSC2D04650DJ

ДИОД SIL CARBIDE 650V 4A DPAK

Производитель: ВеЭн Полупроводники
Номер производителя: WeEn Semiconductors WNSC2D04650DJ
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2
Артикул: WNSC2D04650DJ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.3000

Дополнительная цена:$1.3000

Подробности

Параметры
Производитель	ВеЭн Полупроводники
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	4А
Напряжение — вперед (Vf) (Макс) @ If	1,7 В при 4 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	20 мкА при 650 В
Эмкость @ Вр, Ф	125пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования	ДПАК
Рабочая температура - соединение	175°С
Базовый номер продукта	ВНСК2
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	2500

Диод 650 В 4А для поверхностного монтажа ДПАК