WeEn Semiconductors WNSC2D10650TJ

ДИОД СИЛ КАРБИД 650В 10А 5DFN

Производитель: ВеЭн Полупроводники
Номер производителя: WeEn Semiconductors WNSC2D10650TJ
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2
Артикул: WNSC2D10650TJ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.6500

Дополнительная цена:$2.6500

Подробности

Параметры
Производитель	ВеЭн Полупроводники
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	10А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,7 В при 10 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	50 мкА при 650 В
Эмкость @ Вр, Ф	310пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	4-ВСФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования	5-ДФН (8х8)
Рабочая температура - соединение	175°С
Базовый номер продукта	ВНСК2
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	3000

Диод 650 В 10А для поверхностного монтажа 5-DFN (8х8)