WeEn Semiconductors WNSC5D04650T6J

ДИОД СИЛ КАРБИД 650В 4А 5DFN

Производитель: ВеЭн Полупроводники
Номер производителя: WeEn Semiconductors WNSC5D04650T6J
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация:-
Запас: 6861
Артикул: WNSC5D04650T6J
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	ВеЭн Полупроводники
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток – средний выпрямленный (Io)	4А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,7 В @ 4 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	20 мкА при 650 В
Эмкость @ Вр, Ф	138пФ @ 1В, 1МГц
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	4-ВСФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования	5-ДФН (8х8)
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Базовый номер продукта	ВНСК5
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	1740-WNSC5D04650T6JTR
Стандартный пакет	1

Диод 650 В 4А Для поверхностного монтажа 5-DFN (8х8)