| Параметры |
| Производитель | ВеЭн Полупроводники |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Конфигурация диода | 1 пара с общим катодом |
| Технология | SiC (карбид кремния) Шоттки |
| Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | 650 В |
| Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод) | 30А |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 1,7 В @ 15 А |
| Скорость | Нет времени восстановления > 500 мА (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0 нс |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 50 мкА при 650 В |
| Рабочая температура - соединение | -55°С ~ 175°С |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-247-3 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-247-3 |
| Базовый номер продукта | ВНСК5 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0080 |
| Другие имена | 1740-WNSC5D30650CW6Q |
| Стандартный пакет | 1 |
Диодная матрица, 1 пара, общий катод, 650 В, 30 А, сквозное отверстие ТО-247-3