| Параметры |
| Производитель | Винбонд Электроникс |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR3L |
| Размер | 1Гбит |
| Организация | 64М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 933 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 20 нс |
| Напряжение питания | 1283 В ~ 1,45 В, 1425 В ~ 1575 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 96-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 96-ВФБГА (7,5х13) |
| Базовый номер продукта | W631GU6 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0032 |
| Другие имена | 256-W631GU6NB11JTR |
| Стандартный пакет | 3000 |
SDRAM — ИС-память DDR3L, 1 Гбит, параллельная, 933 МГц, 20 нс, 96-VFBGA (7,5x13)