Winbond Electronics W631GU6NB11J TR
IC DRAM 1GBIT PAR 96VFBGA
- Проиджоделх: Винбонд
- NoMerPOIзVODITELEL: Winbond Electronics W631GU6NB11J TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3026
- Sku: W631GU6NB11J Tr
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Винбонд |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR3L |
| Raзmerpmayti | 1 Гит |
| Органихая | 64 м х 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 933 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 20 млн |
| Napraheneee - posta | 1 283 $ 1,45, 1425 ЕГО ~ 1575 |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 96-VFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 96-VFBGA (7,5x13) |
| Baзowый nomer prodikta | W631GU6 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0032 |
| Дрогин ИНЕНА | 256-W631GU6NB11JTR |
| Станодадж | 3000 |
SDRAM - DDR3L MEMEMA
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p