Винбонд Электроникс W63AH2NBVACE

IC DRAM 1 Гбит HSUL 12 178VFBGA

Производитель: Винбонд Электроникс
Номер производителя: Винбонд Электроникс W63AH2NBVACE
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2358
Артикул: W63AH2NBVACE
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $4.7314

Дополнительная цена:$4.7314

Подробности

Параметры
Производитель	Винбонд Электроникс
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Активный
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	ДРАМ
Технология	SDRAM — мобильный LPDDR3
Размер	1Гбит
Организация	32М х 32
Интерфейс памяти	ХСУЛ_12
Тактовая частота	933 МГц
Время цикла записи — Word, Page	15нс
Время доступа	5,5 нс
Напряжение питания	1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	178-ВФБГА
Поставщик пакета оборудования	178-ВФБГА (11х11,5)
Базовый номер продукта	W63AH2
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8542.32.0032
Другие имена	256-W63AH2NBVACE
Стандартный пакет	189

SDRAM — ИС мобильной памяти LPDDR3 1 Гбит HSUL_12 933 МГц 5,5 нс 178-VFBGA (11x11,5)