Winbond Electronics W66BM6NBUAFJ TR

IC DRAM 2 ГБИТ LVSTL 11 200WFBGA

Производитель: Винбонд Электроникс
Номер производителя: Winbond Electronics W66BM6NBUAFJ TR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7969
Артикул: W66BM6NBUAFJ ТР
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.7600

Дополнительная цена:$5.7600

Подробности

Параметры
Производитель	Винбонд Электроникс
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Не для новых дизайнов
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	ДРАМ
Технология	SDRAM — мобильный LPDDR4X
Размер	2Гбит
Организация	128М х 16
Интерфейс памяти	ЛВСТЛ_11
Тактовая частота	1,6 ГГц
Время цикла записи — Word, Page	18нс
Время доступа	3,5 нс
Напряжение питания	1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C (TC)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	200-ВФБГА
Поставщик пакета оборудования	200-ВФБГА (10х14,5)
Базовый номер продукта	W66BM6
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8542.32.0036
Другие имена	256-W66BM6NBUAFJTR
Стандартный пакет	2500

SDRAM — микросхема мобильной памяти LPDDR4X 2 Гбит LVSTL_11 1,6 ГГц 3,5 нс 200-WFBGA (10x14,5)