| Параметры |                                      
                                                                                                                                                      | Производитель |                                          Винбонд Электроникс |                                      
                                                                                                                  | Ряд |                                          - |                                      
                                                                                                                  | Упаковка |                                          Лента и катушка (TR) |                                      
                                                                                                                  | Статус продукта |                                          Активный |                                      
                                                                                                                  | Тип |                                          Неустойчивый |                                      
                                                                                                                  | Формат памяти |                                          ДРАМ |                                      
                                                                                                                  | Технология |                                          SDRAM — мобильный LPDDR4 |                                      
                                                                                                                  | Размер |                                          4Гбит |                                      
                                                                                                                  | Организация |                                          256М х 16 |                                      
                                                                                                                  | Интерфейс памяти |                                          ЛВСТЛ_11 |                                      
                                                                                                                  | Тактовая частота |                                          2133 ГГц |                                      
                                                                                                                  | Время цикла записи — Word, Page |                                          18нс |                                      
                                                                                                                  | Напряжение питания |                                          1,06 В ~ 1,17 В, 1,7 В ~ 1,95 В |                                      
                                                                                                                  | Рабочая температура |                                          -40°C ~ 95°C (TC) |                                      
                                                                                                                  | Тип монтажа |                                          Поверхностный монтаж |                                      
                                                                                                                  | Пакет/ключи |                                          200-ВФБГА |                                      
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования |                                          200-ВФБГА (10х14,5) |                                      
                                                                                                                  | Базовый номер продукта |                                          W66CL2 |                                      
                                                                                                                  | Статус RoHS |                                          Соответствует ROHS3 |                                      
                                                                                                                  | Уровень чувствительности к влаге (MSL) |                                          3 (168 часов) |                                      
                                                                                                                  | Статус REACH |                                          REACH не касается |                                      
                                                                                                                  | ECCN |                                          EAR99 |                                      
                                                                                                                  | ХТСУС |                                          8542.32.0036 |                                      
                                                                                                                  | Стандартный пакет |                                          2000 г. |                                      
                                                                                                                                      
                                                                           SDRAM — микросхема мобильной памяти LPDDR4, 4 Гбит, LVSTL_11, 2133 ГГц, 200-WFBGA (10x14,5)