| Параметры |
| Производитель | Винбонд Электроникс |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый, Летучий |
| Формат памяти | ФЛЕШ, ОЗУ |
| Технология | ФЛЭШ-NAND, DRAM- LPDDR2 |
| Размер | 1 Гбит (NAND), 512 Мбит (LPDDR2) |
| Организация | - |
| Интерфейс памяти | - |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | - |
| Пакет/ключи | - |
| Поставщик пакета оборудования | - |
| Базовый номер продукта | W71NW10 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 256-W71NW10GE3FW |
| Стандартный пакет | 210 |
FLASH — NAND, DRAM — LPDDR2 ИС память 1 Гбит (NAND), 512 Мбит (LPDDR2), 400 МГц