| Параметры |
| Производитель | Винбонд Электроникс |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | ГиперОЗУ |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 64М х 8 |
| Интерфейс памяти | Гипербус |
| Тактовая частота | 250 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 35 нс |
| Время доступа | 28 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 2 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 24-ГАТБ |
| Поставщик пакета оборудования | 24-TFBGA, DDP (6x8) |
| Базовый номер продукта | W959D8 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 256-W959D8NFYA4IITR |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
Микросхема памяти HyperRAM 512 Мбит HyperBus 250 МГц 28 нс 24-TFBGA, DDP (6x8)