Winbond Electronics W971GG6NB-18
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
- Проиджодел: Винбонд
- NoMerPOIзVODITELEL: Winbond Electronics W971GG6NB-18
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 310
- Sku: W971GG6NB-18
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Винбонд |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR2 |
| Raзmerpmayti | 1 Гит |
| Органихая | 64 м х 16 |
| ИНЕРФЕРСП | SSTL_18 |
| ТАКТОВА | 533 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 350 с |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,9 В. |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 84-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 84-TFBGA (8x12,5) |
| Baзowый nomer prodikta | W971GG6 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0028 |
| Дрогин ИНЕНА | 256-W971GG6NB-18 |
| Станодадж | 209 |
SDRAM - DDR2 СПАМЯТА IC 1GBIT SSTL_18 533 MMGц 350 PS 84 -TFBGA (8x12.5)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p