| Параметры |
| Производитель | Винбонд Электроникс |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR2 |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 32М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 400 пс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 84-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 84-ВФБГА (8х12,5) |
| Базовый номер продукта | W9751G6 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0028 |
| Другие имена | 256-W9751G6NB25I |
| Стандартный пакет | 209 |
SDRAM — ИС память DDR2, 512 Мбит, параллельная, 400 МГц, 400 пс, 84-VFBGA (8x12,5)