Винбонд Электроникс W979H2KBVX1E

IC DRAM 512 МБИТ HSUL 12 134VFBGA

Производитель: Винбонд Электроникс
Номер производителя: Винбонд Электроникс W979H2KBVX1E
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6578
Артикул: W979H2KBVX1E
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $5.8044

Дополнительная цена:$5.8044

Подробности

Параметры
Производитель	Винбонд Электроникс
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Не для новых дизайнов
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	ДРАМ
Технология	SDRAM — мобильный LPDDR2-S4B
Размер	512 Мбит
Организация	16М х 32
Интерфейс памяти	ХСУЛ_12
Тактовая частота	533 МГц
Время цикла записи — Word, Page	15нс
Напряжение питания	1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	134-ВФБГА
Поставщик пакета оборудования	134-ВФБГА (10х11,5)
Базовый номер продукта	W979H2
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8542.32.0028
Другие имена	256-W979H2KBVX1E
Стандартный пакет	168

SDRAM — микросхема мобильной памяти LPDDR2-S4B, 512 Мбит, HSUL_12, 533 МГц, 134-VFBGA (10x11,5)