Winbond Electronics W97AH2NBVA1E TR

IC DRAM 1 ГБИТ HSUL 12 134VFBGA

Производитель: Винбонд Электроникс
Номер производителя: Winbond Electronics W97AH2NBVA1E TR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6809
Артикул: W97AH2NBVA1E ТР
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3,9582

Дополнительная цена:$3,9582

Подробности

Параметры
Производитель	Винбонд Электроникс
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	ДРАМ
Технология	SDRAM — мобильный LPDDR2-S4B
Размер	1Гбит
Организация	32М х 32
Интерфейс памяти	ХСУЛ_12
Тактовая частота	533 МГц
Время цикла записи — Word, Page	15нс
Напряжение питания	1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	134-ВФБГА
Поставщик пакета оборудования	134-ВФБГА (10х11,5)
Базовый номер продукта	W97AH2
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8542.32.0032
Другие имена	256-W97AH2NBVA1ETR
Стандартный пакет	2000 г.

SDRAM — микросхема мобильной памяти LPDDR2-S4B, 1 Гбит, HSUL_12, 533 МГц, 134-VFBGA (10x11,5)