Winbond Electronics W97bh2mbva2e
IC DRAM 2GBIT HSUL 12 134VFBGA
- Проиджоделх: Винбонд
- NoMerPOIзVODITELEL: Winbond Electronics W97bh2mbva2e
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1709
- Sku: W97BH2MBVA2E
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Винбонд |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4B |
| Raзmerpmayti | 2 Гит |
| Органихая | 64M x 32 |
| ИНЕРФЕРСП | HSUL_12 |
| ТАКТОВА | 400 мг |
| Верный | 15NS |
| Napraheneee - posta | 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 |
| Rraboч -yemperatura | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 134-VFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 134-VFBGA (10x11.5) |
| Baзowый nomer prodikta | W97BH2 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0036 |
| Дрогин ИНЕНА | 256-W97BH2MBVA2E |
| Станодадж | 168 |
SDRAM-MOBILE LPDDR2-S4B МЕМЕМА
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p