Winbond Electronics W989D2DBJX6E TR

IC DRAM 512 МБИТ LVCMOS 90VFBGA

Производитель: Винбонд Электроникс
Номер производителя: Winbond Electronics W989D2DBJX6E TR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 6766
Артикул: W989D2DBJX6E ТР
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $3.1263

Дополнительная цена:$3.1263

Подробности

Параметры
Производитель	Винбонд Электроникс
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	ДРАМ
Технология	SDRAM — мобильный LPSDR
Размер	512 Мбит
Организация	16М х 32
Интерфейс памяти	LVCMOS
Тактовая частота	166 МГц
Время цикла записи — Word, Page	15нс
Время доступа	5 нс
Напряжение питания	1,7 В ~ 1,95 В
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	90-ТФБГА
Поставщик пакета оборудования	90-ВФБГА (8х13)
Базовый номер продукта	W989D2
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8542.32.0028
Другие имена	256-W989D2DBJX6ETR
Стандартный пакет	2500

SDRAM — ИС память Mobile LPSDR 512 Мбит LVCMOS 166 МГц 5 нс 90-VFBGA (8x13)