Winbond Electronics W989D6DBGX6E
IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54VFBGA
- Проиджоделх: Винбонд
- NoMerPOIзVODITELEL: Winbond Electronics W989D6DBGX6E
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3178
- Sku: W989D6DBGX6E
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Винбонд |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Raзmerpmayti | 512 мб |
| Органихая | 32 м х 16 |
| ИНЕРФЕРСП | LVCMOS |
| ТАКТОВА | 166 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 5 млн |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
| Rraboч -yemperatura | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 54-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 54-VFBGA (8x9) |
| Baзowый nomer prodikta | W989D6 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0028 |
| Дрогин ИНЕНА | 256-W989D6DBGX6E |
| Станодадж | 312 |
SDRAM - MOBILNAINARYPAMPETH LPSDR IC 512MBIT LVCMOS 166 мАС 54 -VFBGA (8x9)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p